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離子遷移不再困擾：高效覆蓋膜解決方案

隨著電子設(shè)備在提高性能的同時(shí)向著小型化、輕量化方向發(fā)展，產(chǎn)品集成度越來(lái)越高，FPC的線寬線距越來(lái)越小。當(dāng)FPC在高溫高濕的環(huán)境下工作時(shí)，細(xì)線路間易形成導(dǎo)電性枝晶，降低線路間的絕緣可靠性，甚至導(dǎo)致FPC短路失效。離子遷移造成的電子產(chǎn)品元器件電化學(xué)腐蝕成為下游FPC廠近幾年最嚴(yán)重的質(zhì)量問(wèn)題。

提高PCB基材的耐離子遷移性成為了電子產(chǎn)品開(kāi)發(fā)中的迫切需求。因此，對(duì)于精細(xì)線路制程工藝，與之匹配的抗枝晶（Anti-dendrite）材料就顯得十分必要。抗枝晶（Anti-dendrite）材料的使用，能有效降低細(xì)線路間產(chǎn)生枝晶的風(fēng)險(xiǎn)，提高FPC的可靠性。

耐離子遷移的產(chǎn)生條件

電化學(xué)遷移通常是指在電場(chǎng)作用下使金屬離子發(fā)生遷移的現(xiàn)象，其形成的必要條件：電勢(shì)差、電解質(zhì)溶液、離子遷移通道、可遷移物質(zhì)。

電勢(shì)差：當(dāng)FPCB使用通電時(shí)，通路之間會(huì)形成一定的電勢(shì)差。

電解質(zhì)溶液：環(huán)境條件下的水汽，FPCB制程中的污染物離子及有膠材料膠粘劑中的雜質(zhì)離子，可形成可導(dǎo)電的電解質(zhì)溶液。

離子遷移通道：環(huán)氧膠系覆蓋膜在熱固化過(guò)程中會(huì)形成一些微小孔隙及空洞，就可為離子遷移提供通道。

可遷移物質(zhì)：焊點(diǎn)Sn、焊盤(pán)Ni、基材Cu等可參與電化學(xué)反應(yīng)的金屬及其離子。

耐離子遷移覆蓋膜優(yōu)勢(shì)

相對(duì)于normal CVL ：

l 更低的鹵素水平

l 更優(yōu)秀的高溫耐老化能力

l 1000H耐離子遷移能力，無(wú)枝晶

相對(duì)于其他廠家Anti-dendrite CVL

l 更好的操作性

l 更優(yōu)良的基礎(chǔ)物性和耐老化信賴(lài)性

l 更具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格

技術(shù)參數(shù)

ZYC-C系列CVL耐離子遷移性能突出，適合精細(xì)線路設(shè)計(jì)FPC制程。

項(xiàng)目		ZYC-C
疊構(gòu)		PI
疊構(gòu)		膠離型紙
PI	廠家	達(dá)邁、菲瑪特
PI	厚度/um	12、25、50
膠	廠家	南昌正業(yè)
膠	厚度/um	10-50

耐離子遷移覆蓋膜——鹵素對(duì)比

Anti-dendrite產(chǎn)品具有較Normal產(chǎn)品更低的鹵素水準(zhǔn)，更耐離子遷移。

Normal CVL 428ppm

耐離子遷移覆蓋膜——遷移測(cè)試

Anti-dendrite CVL 1000H Migration test OK

離子遷移測(cè)試		Normal CVL	Anti-dendrite CVL
測(cè)試條件		溫濕度：85℃/85%RH 時(shí)間：1000h 電壓: DC 50V 基材：ZYFD250012 覆蓋膜：ZYC1215 線寬線距:50um/50um
測(cè)試結(jié)果		500H NG	1000H OK
阻值	初始電阻/Ω	1.48E+9	1.92E+9
	500H電阻/Ω	--	1.89E+9
	1000H電阻/Ω	--	1.87E+9
	電阻下降率	--	2.6%

*500h Normal cvl部分樣品發(fā)生微短

耐離子遷移覆蓋膜——測(cè)試設(shè)備

雙85環(huán)境下50V直流電壓對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)試1000H

Migration test 1000H OK , no dendrite